本发明为一种发光二极管装置，包含至少一发光二极管单元，其具有一基板，一位于基板上的电性耦合层，位于电性耦合层上的并接型磊晶结构，及位于电性耦合层与并接型磊晶结构之间的中间层。在另一实施例中，并接型磊晶结构位于导电层上，电性耦合层位于并接型磊晶结构上，且中间层位于并接型磊晶结构与电性耦合层之间。