一种发光二极管，包含至少一个发光二极管单元。每一个发光二极管单元包含至少一个发光二极管，其包含第一掺杂层、第二掺杂层及导电缺陷层。其中，导电缺陷层形成于第一或第二掺杂层上。导电缺陷层可位于两个迭加发光二极管之间，或者位于第一/第二掺杂层与电极之间。