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> 技术详情
一种能够有效防止电荷失衡的超结VDMOS器件
编号:S000021938
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-23
浏览:
2189
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 四川
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种能够有效防止电荷失衡的超结VDMOS器件,属功率半导体器件领域。本发明在常规超结VDMOS的超结结构中与外延区(3)导电类型相反的柱区(4)中掺入深能级杂质(对N沟道器件,掺入施主杂质S、Se或Te;对于P沟道器件,掺入受主杂质In、Ti或Zn)。这些深能级施主杂质在常温下电离率比较低,可以忽略其对柱区(4)掺杂浓度的贡献,不影响器件的静态电荷平衡。当器件正向导通并工作在大电流下时,随着器件温度升高,上述深能级杂质的电离率将得到大幅提高,相当于降低了柱区(4)的掺杂水平,有效缓解了由于载流子流过外延区(3)所造成的超结结构电荷失衡导致的器件雪崩击穿电压下降,提高了器件可工作的电流范围,扩大了器件的正向安全工作区。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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