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一种磁电复合多态存储器单元及其制备方法
编号:S000021927 刷新日期: 有效日期至:2020-12-14 浏览:2319 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种磁电复合多态存储器单元及其制备方法,包括在衬底上依次沉积底电极、铁电层和顶电极,所述底电极为铁磁层,所述顶电极为铁磁层或材料为Ag、Au、Pt、Cu或Al的薄膜层;该铁磁层的材料为La1-xSrxMnMyO3,其中0.15≤x≤0.5,0≤y≤0.1,M为Ag、Bi、Cu、Co、Ni和Sc元素中的至少一种;铁电层的材料为BaTiO3;铁磁层与铁电层的材料均具有(110)取向;所述铁磁层与铁电层的厚度比为0.1-20。本发明的磁电复合多态存储器单元铁磁、铁电两相结构匹配及界面耦合性较好、成分控制容易、制备工艺简单,不仅实现了数据的多态存储功能,而且具有存储数据非易失性、数据读取简单、速度快,与传统半导体工艺兼容性较好等优点。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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