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一种功率MOSFET器件串联电阻的测试电路
编号:S000021899 刷新日期: 有效日期至:2020-12-17 浏览:2494 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种功率MOSFET器件串联电阻的测试电路,属于半导体器件测试技术领域。所述测试电路包括脉冲发生器、相位伏安表、电压波形数字转换器、电流波形数字转换器、可调电感、第一选通开关和第二选通开关;脉冲发生器的信号端通过串联电流波形数字转换器、可调电感与第一选通开关的固定端电连接;第一选通开关的两个选择端分别与栅极和漏极电连接;第二选通开关的两个选择端分别与源极和漏极电连接;电压波形数字转换器的一端与可调电感电连接;相位伏安表电压输入端的一端与可调电感电连接,另一端接地;相位伏安表电流输入端与可调电感电连接。本发明为评估器件性能提供重要参数指标,对器件设计和提高器件开关特性具有重要意义。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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