本发明提供一种薄膜LED芯片器件包括：设有蚀刻凹槽的GaN基外延薄膜基层；该GaN基外延薄膜基层的P型半导体层的表面附着金属反射层；该金属反射层与GaN基外延薄膜基层上沉积有钝化膜，形成GaN基外延薄膜；位于金属反射层表面的钝化膜与蚀刻凹槽底面的钝化膜各设有镂空区域；P极多层金属粘合层与N极多层金属粘合层各设于相应的镂空区域；该P极多层金属粘合层与N极多层金属粘合层上分别设有P极导电支撑厚金属层与N极导电支撑厚金属层；固定膜，其包覆于GaN基外延薄膜上。本发明还提供薄膜LED芯片器件的制造方法及应用。本发明降低后续激光剥离工艺中晶片破裂的发生率与形变几率，提升产品的良品率。