一种具有P型埋层结构的槽栅二极管，属于半导体器件技术领域。包括N⁺衬底、背面的金属化阴极和正面的N^-漂移区；N^-漂移区顶部两侧之外是槽型栅电极和栅氧化层；N^-漂移区顶部两侧分别具有一个N型重掺杂区，两N型重掺杂区之间具有一个P型重掺杂区；P型重掺杂区正下方具有两个以上相互间隔、均匀分布的条形P型埋层区；P型埋层区和P型重掺杂区之间具有若干间隔分布的P型柱区。P型埋层区、N型重掺杂区、栅氧层三者之间形成载流子积累区A，相邻两个P型埋层区之间的区域形成电子通路B。本发明通过引入一个P型埋层区，使得器件在不影响反向击穿电压和反向泄露电流的情况下，具有更小的导通压降、更短的反向恢复时间和极低的反向恢复峰值电流。