本发明提供一种降低Si表面粗糙度的方法，属于半导体领域，包括步骤：首先提供一至少包括Si_xGe_1-x层以及结合于其表面的Si层的层叠结构，采用选择性腐蚀或机械化学抛光法去除所述Si_xGe_1-x层，获得具有残留Si_xGe_1-x材料的Si层粗糙表面，然后采用质量比为1∶3~6∶10~20的NH₄OH: H₂O₂: H₂O溶液对所述Si层粗糙表面进行处理，去除所述残留Si_xGe_1-x材料，以获得光洁的Si层表面。本发明可以有效降低去除应变硅表面的Si_xGe_1-x材料残余，降低应变硅表面的粗糙度，获得光洁的应变硅表面，为后续的器件制造工艺带来了极大的便利。本发明工艺简单，适用于工业生产。