本发明适用于半导体集成电路技术领域，提供了一种基于自对准工艺的双多晶SOI SiGe HBT集成器件及制备方法，在SOI衬底上生长N型Si外延，光刻浅槽隔离区域，制备浅槽隔离，刻蚀并磷离子注入，形成集电极接触区，依次淀积SiO₂、P-Poly-Si、SiO₂、氮化物，干法刻蚀形成氮化物侧墙，湿法刻蚀出基区窗口，选择性生长SiGe基区，淀积N型Poly-Si，再去除掉发射极以外的Poly-Si，形成HBT器件，最后光刻发射区、基区和集电区引线孔，金属化，光刻引线，构成基区厚度为20～60nm的HBT集成电路；本发明所提出的工艺方法与现有CMOS集成电路加工工艺兼容，在资金和设备投入很小的情况下，可以制备出基于SOI的BiCMOS器件集成及电路，使现有的模拟和数模混合集成电路性能获得大幅提高。