一种积累型槽栅二极管，属于半导体器件技术领域。包括N⁺衬底，N⁺衬底背面的金属化阴极，N⁺衬底正面的N^-漂移区；N^-漂移区顶部两侧之外是槽型栅电极和二氧化硅栅氧化层；N^-漂移区顶部两侧分别具有两个N型重掺杂区，两个N型重掺杂区之间具有一个P型重掺杂区；在P型重掺杂区正下方具有P型埋层区；在P型埋层区和P型重掺杂区之间具有若干间隔分布的P型柱区。P型埋层区、N型重掺杂区、二氧化硅栅氧层三者之间形成载流子积累区A。本发明通过引入一个P型埋层区，使得器件在不影响反向击穿电压和反向泄露电流的情况下，具有更小的导通压降、更短的反向恢复时间和极低的反向恢复峰值电流。