本申请案涉及用于像素中高动态范围成像的系统和成像传感器像素。本发明的实施例描述通过将成像像素的浮动扩散节点耦合到多个金属氧化物半导体MOS电容区域来将高动态范围成像(HDRI或仅HDR)提供到所述成像像素。应理解，MOS电容区域仅在所述浮动扩散节点处的电压(或栅极节点与所述浮动扩散节点之间的电压差)大于其阈值电压时“接通”(即，改变所述浮动扩散节点的总电容)；在所述MOS电容区域“接通”前，其不对所述浮动扩散节点的所述总电容或转换增益有影响。所述MOS电容区域中的每一者将具有不同的阈值电压，借此在不同的照明条件下“接通”。此增大了所述成像像素的动态范围，借此提供用于主成像系统的HDR。