本发明公开了一种基于深刻蚀槽的多段式FP腔单波长激光器，其结构至少包括激光器波导、分别位于其两端的第一深刻蚀反射面、第二深刻蚀反射面和分布于其间的深刻蚀槽阵列；深刻蚀槽阵列由2-6个深刻蚀槽组成。激光器制作在半导体外延片上，从下往上分别包括下包层，量子阱层和上包层以及以上所述各层之间的一些辅助层；激光器波导被深刻蚀槽阵列、第一深刻蚀反射面和第二深刻蚀反射面分割成数段独立的波导，每段波导上覆盖有电极，电极上分别注入电流实现对激光器波长和功率的控制；本发明与背景技术相比，仅需要一次外延生长使得生产工序更加简单便宜，制作误差更小；器件运行所需能量损耗更少；激光线宽窄。