本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种耗尽管及其制作方法，用以解决现有技术中由于在牺牲氧化层湿法剥除中会损失掉被耗尽离子注入到的场氧而造成制作出来的耗尽管用作只读存贮器时不足以起到隔离效果，有可能造成漏电而使器件工作失效的问题。本发明实施例提供的耗尽管的制作方法包括：在硅单晶上生长作为离子注入阻挡层的牺牲氧化层后，用湿法剥除掉所述牺牲氧化层；在衬底表面未覆盖场氧的地方生长栅氧之后，定义耗尽层并向耗尽层注入离子。本发明实施例在牺牲氧化层湿法剥除中不会造成场氧损失，因而耗尽管用作只读存贮器时能够起到很好的隔离效果，从而避免了只读存贮器因为漏电而不能正常工作的问题，进一步提高了只读存储器的性能。