一种相变存储器底部接触结构的制作方法，包括：在包含导电插塞及第一介电层的半导体衬底上形成第二介电层且在该第二介电层内形成暴露部分导电插塞的沟槽；在第二介电层上及沟槽内依次淀积导电层、第三介电层、充满沟槽的底部抗反射层；利用光刻工艺在沟槽外定义出垂直沟槽且对应导电插塞的条状区域，刻蚀去除该条状区域外部分高度的底部抗反射层；在条状区域表面及底部抗反射层上形成刻蚀副产物层；去除条状区域侧壁外的刻蚀副产物层；依次去除该条状区域外剩余高度的底部抗反射层、第三介电层及导电层。本发明还提供了上述方法形成的相变存储器底部接触结构以及相变存储器的结构及其制作方法。采用本发明的技术方案，可以改善相变存储器的性能。