一种平坦化导电插塞的方法，包括：半导体衬底包括相邻的导电类型相反的第一区域和第二区域，第一区域表面的介质层内具有第一沟槽，第二区域表面的介质层内具有第二沟槽，介质层表面、第一沟槽和第二沟槽内具有插塞层；采用第一次化学机械抛光去除介质层表面的插塞层，形成第一导电插塞和第二导电插塞；采用第二次化学机械抛光介质层、第一导电插塞和第二导电插塞表面，第二次化学机械抛光的研磨液的酸碱性与第一次化学机械抛光相反；采用第三次化学机械抛光，使第一导电插塞和第二导电插塞高于介质层，所述第二次化学机械抛光的抛光液的PH值介于第一次化学机械抛光和第三次化学机械抛光之间。所述平坦化的方法效果好。