一种降低阱接出电阻的方法，包括：步骤S1：提供半导体基底，并形成第一型离子之MOS器件；步骤S2：在所述第一型离子之MOS器件内进行第二型离子阱注入；步骤S3：在所述第一型离子之MOS器件的第二型离子阱接出区域进行第一型离子低掺杂源漏注入工艺；步骤S4：在所述第一型离子之MOS器件的第二型离子阱接出区域进行第二型离子环状注入工艺；步骤S5：在所述第一型离子之MOS器件的第二型离子阱接出区域进行第二型离子源漏重掺杂注入工艺；步骤S6：在所述第二型离子阱接出区域形成金属硅化物。本发明所述降低阱接出电阻的方法增加了阱接出区域的注入剂量，从而减小了阱接出区域的接出电阻，降低了器件的衬底效应和栓锁效应，提高了器件的性能。