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> 技术详情
一种基于CVD法合成的单根纳米线热导率的测量方法
编号:S000021742
刷新日期:
有效日期至:
2020-09-29
浏览:
2875
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 湖南
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及一种基于CVD法合成的单根半导体纳米线热导率的测量方法;属于材料导热性能测量技术领域。本发明取一根采用CVD法于T
1
温度下沉积得到的纳米线,将所取纳米线一端固定在碳导电胶上,另一端悬空,悬空部分长度为8-12微米;然后,用垂直于纳米线轴线的聚焦激光束加热悬空端的端部,然后增加聚焦激光束的净输出功率,至悬空端的端部熔融时,停止加热,同时,记录此时聚焦激光束的净输出功率p
∞
,然后通过扫描电镜精确测得悬空部分L的长度和直径D;再将所的数据换算成纳米线吸收的激光功率(P
abs
),再根据一维方向上的傅里叶热传导方程:
计算得出单根纳米线热导率K。本发明无需搭建电极,具有操作简单,成本较低等优势。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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