本发明提供一种后段制程中双重图形化方法，包括：在半导体衬底上依次形成介质层和硬掩膜层；形成第一图案化的光刻胶，第一图案化的光刻胶所曝光的图案包括若干规则排列的转角图案；刻蚀所述硬掩膜层以形成第一沟槽；形成第二图案化的光刻胶，第二图案化的光刻胶所曝光的图案包括若干规则排列的直线图案；刻蚀所述硬掩膜层以形成第二沟槽；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述介质层，形成互连金属线沟槽；在所述互连金属线沟槽中填充形成互连金属线。本发明后段制程中双重图形化方法更易于进行对准误差尺寸，从而能够在具有转角图案的后段工艺制程中提高了对准精度。