本发明适用于半导体集成电路领域，提供了一种三多晶SOI SiGeHBT集成器件及制备方法，在SOI衬底上连续生长N-Si、P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，淀积介质层，制备浅槽隔离，光刻集电区浅槽隔离区域，制备集电区浅槽隔离，刻蚀并淀积介质层，光刻基区浅槽隔离区域，制备基区浅槽隔离，光刻集电极、磷离子注入，光刻基极、硼离子注入，光刻发射极、磷离子注入，形成集电极、基极和发射极接触区，最终形成HBT器件，构成基区厚度为20～60nm的HBT集成电路。本发明所提出的工艺方法与现有CMOS集成电路加工工艺兼容，在资金和设备投入很小的情况下，能够制备出基于SOI的BiCMOS集成器件及电路，使现有的模拟和数模混合集成电路性能获得大幅提高。