本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种制备顶层金属互联工艺刻蚀中间停止层的方法。本发明提出一种制备顶层金属互联工艺刻蚀中间停止层的方法，通过在原有的顶层金属双大马士革工艺基础上去掉了氮化硅薄膜层的淀积工艺，而引入了离子注入氮（N）或者其他元素的工艺的方法，从而将二氧化硅薄膜转化成氮化硅薄膜或者其他类似的薄膜，以作为顶层金属沟槽刻蚀的停止层，不仅不需要进行中间停止层氮化硅薄膜的沉积，还避免了氧化硅薄膜和氮化硅薄膜由于应力差而造成开裂的可能性，同时降低了金属层间的寄生电容。