本发明关于一种化学机械抛光液，尤其涉及一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，可有效应用于半导体中氧化硅介电材料。所述氧化硅介电材料用化学机械抛光液，含有氧化物抛光颗粒、盐组份、鳌合剂、pH调节剂及水性介质；其中以抛光液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：氧化物抛光颗粒0.2-50wt%；盐组份，其通式为MX_n，M为金属元素，X为卤素0.1-5wt%，n=1、2或3；螯合剂0.05-5wt%；余量为pH调节剂和水性介质。本发明所提供的化学机械抛光液，通过盐组份及螯合剂的独特组合，在适当的pH的条件下，大大提高了二氧化硅薄膜去除速率。