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TEM样品的制备方法
编号:S000021607 刷新日期: 有效日期至:2020-10-29 浏览:2199 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及半导体制作领域,确切的说,涉及一种TEM样品的制备方法,包括以下步骤:S1、于所述衬底的上表面沉积第一涂层;S2、切割所述第一涂层至所述衬底的下表面;S3、制备第二涂层覆盖所述第一横截面的表面;S4、切割所述第一样品结构上剩余的第一涂层至剩余的衬底的下表面;S5、切割所述第二涂层至剩余衬底的下表面形成具有第二截面的TEM样品结构;S6、继续对所述TEM样品的目标横截面进行分析。本发明通过改进保护层的沉积方法和增加沉积保护层的次数,使TEM样品厚度达到最佳的分析厚度(40-60nm),在分析中能清楚分辨出扩散阻挡层和铜的分界面,提高了TEM样品的分析质量。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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