本发明公开了一种类T型栅掩蔽自对准法制备金刚石基FET器件的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。包括以下步骤：在耐高温衬底上形成高阻金刚石层；在高阻金刚石层上形成导电沟道；在高阻金刚石层的表面覆盖一层金属掩膜层；光刻台面；利用腐蚀液去除台面区域外金属掩膜；在金属掩膜上通过光刻形成栅；利用腐蚀液去除源漏中间区域的金属掩膜，形成源漏；在上述腐蚀区域内制作类T型栅；在金属栅的外侧通过氧化或氮化处理形成介质层；利用类T形栅做作为掩蔽。所述方法采用类T型栅掩蔽自对准工艺，有效的减小栅源和栅漏之间间距，使源漏间距基本上和栅长相当，从而减小栅源和栅漏电阻。