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一种透明导电薄膜
编号:S000021598 刷新日期: 有效日期至:2020-12-17 浏览:2291 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种透明导电薄膜及其制备方法。所述的透明导电薄膜为层状结构,包括衬底、第一氧化物层、第二氧化物层、金属层,还包括抑制层,所述的抑制层直接插在金属层与氧化物层之间。本发明的透明导电薄膜中,通过插入抑制层使氧化物层与金属层界面处形成抑制金属层中原子向氧化物层扩散的半导体薄层。在较强受热情况下,金属薄膜中的原子因抑制薄层存在使得金属原子仍很好限制金属层中,达到强透明导电薄膜的热稳定性。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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