一种具有电荷输运限制的高压发光二极管及其制备工艺，属于半导体光电子器件领域。其高压发光二极管的主要结构依次包括：电极、接触层、有源区、隔离槽、未掺杂电流限制层、反型防护层组成的LED结构。该结构是：利用ICP刻蚀隔离槽的方法，将LED独立绝缘开来，通过第二接触层、未掺杂电流限制层、反型防护层形成载流子输运限制结构，限制其在工作时处于反向状态，最后溅射金属进行串联，形成发光二极管阵列。本发明取代原有的刻蚀至衬底的方法，大大降低了隔离槽的深度，解决了绝缘层良好包覆在隔离槽侧壁的问题，使器件的制备不必采用深刻蚀工艺。同时该结构对器件提供静电保护，提高了器件的可靠性。