本发明公开了一种并四噻吩衍生物及其制备方法与应用。并四噻吩衍生物，结构如式(I)所示，其中，R为氢、烷基或芳基。本发明还提供了式(I)化合物的制备方法。本发明的合成路线简单、有效；原料为商业化的廉价产品，合成成本低；合成方法具有普适性，可以推广应用到其他各种取代基取代的并四噻吩衍生物的合成。以本发明合成的[1]苯并噻吩并[3”.2”：4’，5’]噻吩并[2’.3’：4，5]噻吩并[2，3-b][1]苯并噻吩为有机半导体层制备的OFET的迁移率和开关比都比较高，迁移率最高为0.05cm²V^-1s^-1，开关比大于10⁶，它们在OFET器件中有良好的应用前景。式I