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光刻胶的去除方法
编号:S000021572 刷新日期: 有效日期至:2020-12-17 浏览:2716 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种光刻胶的去除方法,所述方法利用在去除光刻胶的过程中,当压强在特定压强范围内变动和/或电源功率在特定电源功率范围内变动时,边缘位置光刻胶的去除速率与中央位置光刻胶的去除速率之差会减小,使光刻胶的去除均匀性会有明显改变的原理,通过不断调整压强和/或电源功率来获得多个光刻胶的去除均匀性,获取最小光刻胶去除均匀性所对应的压强及电源功率,根据所获得的压强及电源功率来设置光刻胶的去除工艺条件,使得待形成电路图形的半导体器件上的光刻胶去除更为均匀。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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