一种具有系列P浮空埋层的RC-IGBT，属于半导体功率器件领域。本发明是在传统RC-IGBT基础上，通过增加P浮空层（10）（位于介质埋层（12）上方的N缓冲层（7）中）、介质埋层（12）（位于N集电区（8）和P集电区（9）之间）、系列P浮空埋层（11）（位于部分或全部N缓冲层（7）的表面或内部），正向导通时起到抑制甚至是消除Snapback现象的作用，反向恢复过程中，控制背部空穴的注入剂量，从而提高RC-IGBT的反向恢复特性。通过仿真验证证明，这种新型的RC-IGBT不但能彻底消除Snpaback现象，同时能够有很大的软度因子（S），避免反向恢复时发生的电压过冲，使得器件的综合性能大大提高。