一种高亮度发光二极管的外延结构及其实现方法，属于半导体生产技术领域，生长至少3对耦合的量子阱，在每对耦合的量子阱生长时，先生长低In含量的量子阱层，再生长发光量子阱层，各层低In含量的量子阱层的In含量沿生长方向逐渐增加，并在各相邻的低In含量的量子阱层和发光量子阱层之间生长薄GaN势垒层。本发明用变温及变化前驱物流量的方法在发光量子阱之前生长一低In含量且组分渐增的耦合量子阱结构，使得低In含量的量子阱不会再次吸收量子阱所发射的光子，可以减低内建电场，增强载流子的局域化使辐射复合几率增加，使发光二极管的内量子效率大大提高。