本发明涉及半导体光电材料领域，提供一种透明导电氧化物薄膜的制备方法，其包括如下步骤：步骤一、获得锌盐或铟盐与掺杂金属盐的溶胶溶液，其中，溶胶的粘度为15～20mPa·s，所述锌盐或者铟盐中锌或者铟的浓度为0.1～1mol/L，锌与掺杂金属的摩尔比值为0.001~0.03，铟与掺杂金属的摩尔比值为0.05~0.15；步骤二、将介质浸入到溶胶溶液中，停留1～30s，然后以1～300cm/min的速度将介质提拉出溶胶液面，随后在80°C～300°C下保持0.5～30min，冷却；步骤三、重复步骤二至介质上的膜厚达到所需厚度，获得所述透明导电氧化物薄膜。该方法制备的透明导电氧化物薄膜成品率高，可制备大面积薄膜，物料利用率高，适合批量化生产。