本发明涉及一种基于FTO的全无机氧化物量子点LED及其制作方法，属于半导体照明技术领域。技术方案是：所述LED结构主要由LED正极和阴极、LED正极和阴极之间的载流子迁移层、载流子迁移层之间的LED的发光层以及玻璃基板组成；所述LED制作方法经步骤一、FTO电极（2）的制备，步骤二、NiO薄膜层（3）的制备，步骤三、CdSe/CdS/ZnS量子点的合成与薄膜制备，步骤四、ZnO纳米晶薄膜层（5）的制备，步骤五、蒸镀电极，最后，完成基于FTO的全无机氧化物量子点LED的制作。本发明提供上述技术方案使LED发光层和载流子迁移层能级得到合理的匹配，同时简化LED制作工艺，降低封装成本。