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一种CuInSe2和TiO2复合异质结薄膜的制备方法
编号:S000021525 刷新日期: 有效日期至:2020-09-28 浏览:2172 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 四川 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种CuInSe2和TiO2复合异质结薄膜的制备方法,属于材料技术领域。采用一维TiO2纳米管阵列作为n型半导体电子传输层,CuInSe2纳米晶作为p型材料,复合形成CuInSe2/TiO2异质结薄膜结构。首先,利用溶剂热法制备出分散良好、粒度均匀的CuInSe2纳米晶颗粒,其次采用电化学方法在金属钛片上自组织生长高度取向的TiO2纳米管阵列,最后采用电泳法将所制备的CuInSe2纳米晶颗粒负载到TiO2纳米管阵列之上,即可得到具有可见光响应、成本低廉、重复性好、且可大规模制造的复合异质结薄膜。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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