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> 技术详情
一种CuInSe
2
和TiO
2
复合异质结薄膜的制备方法
编号:S000021525
刷新日期:
有效日期至:
2020-09-28
浏览:
2172
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 四川
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种CuInSe
2
和TiO
2
复合异质结薄膜的制备方法,属于材料技术领域。采用一维TiO
2
纳米管阵列作为n型半导体电子传输层,CuInSe
2
纳米晶作为p型材料,复合形成CuInSe
2
/TiO
2
异质结薄膜结构。首先,利用溶剂热法制备出分散良好、粒度均匀的CuInSe
2
纳米晶颗粒,其次采用电化学方法在金属钛片上自组织生长高度取向的TiO
2
纳米管阵列,最后采用电泳法将所制备的CuInSe
2
纳米晶颗粒负载到TiO
2
纳米管阵列之上,即可得到具有可见光响应、成本低廉、重复性好、且可大规模制造的复合异质结薄膜。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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