本发明涉及一种在功率MOSFET内集成肖特基二极管。半导体器件包括多个沟槽，多个沟槽含有在有源区中的有源栅极沟槽，以及在有源区外部的截止区中的栅极滑道/截止沟槽和屏蔽电极吸引沟槽。栅极滑道/截止沟槽包括限定位于有源区外部的台面结构的一个或多个沟槽。第一导电区形成于多个沟槽中。中间电介质区和截止保护区形成于限定台面结构的沟槽中。第二导电区形成于限定台面结构的那部分沟槽中。第二导电区通过中间电介质区，与第一导电区电绝缘。到第二导电区形成第一电接触，到屏蔽电极吸引沟槽中第一导电区形成第二电接触。一个或多个肖特基二极管形成于台面结构中。