本发明涉及一种基于聚甲基丙烯酸甲酯的LED表面粗化方法。该方法是在LED外延片上表面旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯；二氧化硅作掩膜光刻保护预留电极图形以外区域；去除预留电极图形区域的聚甲基丙烯酸甲酯后，光刻制备电极；氢氟酸腐蚀去除二氧化硅；在150℃-200℃温度下保温1-2小时，然后降温至室温，得到周期性皱褶形成的表面粗化图形。本发明利用聚甲基丙烯酸甲酯与LED外延片之间的热膨胀系数差异，在各种LED外延片表面制备周期性粗化图形，提高LED芯片光提取效率；具有适用对象广，加工快、面积大，成本低，粗化效果好，对半导体材料无损伤等特点。