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一种纳米晶/量子点敏化晶硅电池片的化学气相沉积制备方法
编号:S000021503 刷新日期: 有效日期至:2020-12-25 浏览:2540 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种纳米晶/量子点敏化晶硅电池片的化学气相沉积制备方法,属于半导体光电材料和太阳能电池领域。在扩散晶硅电池片上用化学气相沉积的方法沉积一层纳米晶/量子点敏化层,纳米晶/量子点对太阳光具有较强的吸收作用,不仅起到减少晶硅电池表面反射的作用,而且可以提高晶硅电池片的光电性能。本发明所提出的化学气相沉积方法简单,原料价格低廉,适应范围广泛,适合规模化工业生产。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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