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一种免电激活的阻变存储器及其制备方法
编号:S000021499
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-29
浏览:
2207
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种免电激活的阻变存储器及其制备方法,属于半导体非易失性存储器技术领域。本发明的免电激活的阻变存储器,包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和顶电极之间的阻变功能层材料,阻变功能层材料由一层稀土氧化物薄膜和一层过渡金属氧化物薄膜构成。本发明采用稀土氧化物薄膜和过渡金属氧化物薄膜双层薄膜作为阻变功能层,利用活性金属形成的原生氧化层以及稀土氧化物免激活特性,通过沉积过程中缺陷调控技术,获得了具有稳定电阻转变特性的免电激活的阻变存储器。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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