本发明公开了一种乙烯双键桥连NDI基共轭聚合物及其制备方法与应用。该聚合物如式I所示。本发明提供的聚合路线简单高效、原料供应广泛、合成成本低，具有很好普适性和高的重复性等优点，可以推广应用到其他各种取代基的乙烯-NDI大π共聚物的合成。以本发明以此类聚合物半导体材料作为活性层制备的FETs展现出良好的双极性特征，其最大电子和空穴迁移率分别达到0.73和0.12cm²/V·s，展现出了这类聚合物材料在FETs中有优良的应用潜质。