本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种铜互联线的制作工艺。本发明提出一种铜互联线的制作工艺，通过在沟槽优先的铜互联工艺中采用硅烷化材料于双重曝光技术中的两层光阻之间形成隔离膜，并依次将光阻中的通孔和金属槽结构转移至介质层，从而替代了传统将金属槽刻蚀和通孔刻蚀分为两个独立步骤的现有工艺，有效地减少了双大马士革金属互连线工艺中的刻蚀步骤，提高产能、减少制作成本。