一种黑硅材料表面金属电极的制备方法，属于半导体光电子材料与器件技术领域。该方法包括：步骤1：化学镀前预处理；步骤2：用化学镀工艺在黑硅材料表面沉积一层过渡层；步骤3：干燥；步骤4：用蒸发或溅射工艺在过渡层上沉积金属电极层；步骤5：退火；步骤6：光刻形成电极形状。本发明利用化学镀的自催化镀膜原理，在金属电极与黑硅表面增加了一层化学镀层作为过渡层，能够提高金属电极与黑硅材料表面的结合力，降低接触电阻；本发明用于基于黑硅材料的硅光电探测器或太阳能电池，能有效提高器件效率及响应速度且制备工艺简单、成本较低。