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一种小电极结构阻变存储器及其制备方法
编号:S000021486 刷新日期: 有效日期至:2020-10-22 浏览:2182 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种小电极结构阻变存储器及其制备方法,属于超大集成规模中半导体阻变存储器领域。本发明的阻变存储器包括Al电极层、SiO2层、Si层,阻变层和下电极层;其中,Al电极层与阻变层通过一个或多个导电通道电连接,所述导电通道为Al经SiO2层缺陷渗入到Si层而使Si溶解于Al形成的。本方法为:首先在沉底上依次制备一下电极层、一阻变层、一Si层、一SiO2层;然后在所述SiO2层上制备一Al电极层;最后对上述所得结构进行退火处理。本方法使用常规的技术工艺成本,就可以得到很小的实际电极,降低了成本,优化了器件,用较低的代价实现更小的实际电极面积。
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