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> 技术详情
一种小电极结构阻变存储器及其制备方法
编号:S000021486
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-22
浏览:
2230
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种小电极结构阻变存储器及其制备方法,属于超大集成规模中半导体阻变存储器领域。本发明的阻变存储器包括Al电极层、SiO
2
层、Si层,阻变层和下电极层;其中,Al电极层与阻变层通过一个或多个导电通道电连接,所述导电通道为Al经SiO
2
层缺陷渗入到Si层而使Si溶解于Al形成的。本方法为:首先在沉底上依次制备一下电极层、一阻变层、一Si层、一SiO
2
层;然后在所述SiO
2
层上制备一Al电极层;最后对上述所得结构进行退火处理。本方法使用常规的技术工艺成本,就可以得到很小的实际电极,降低了成本,优化了器件,用较低的代价实现更小的实际电极面积。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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