半导体衬底具有至少两个有源区，每一个具有至少一个有源器件，该有源器件包括栅电极层；以及位于有源区之间的浅沟槽隔离（STI）区。去耦电容器包括在STI区上方的同一栅电极层中形成的第一伪导电图案和第二伪导电图案。第一伪导电图案和第二伪导电区未与至少一个有源器件中的任何有源器件连接。第一伪导电图案与具有第一电位的电源连接。第二伪导电图案与具有第二电位的电源连接。在第一伪导电图案和第二伪导电图案之间提供介电材料。本发明还提供去耦电容器及其制造方法。