具有空穴复合层的IGBT终端结构及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域。所述IGBT终端结构是在常规IGBT终端结构的P型等位环中引入空穴复合层（由注入到P型等位环内的碳离子和氧离子经400～550℃温度条件下的退火处理所形成）。空穴复合层的引入可有效降低等位环处的空穴电流密度，减弱器件关断时的电流集中现象，抑制动态雪崩击穿和热击穿，提高IGBT器件的可靠性。由于空穴复合层的引入仅在器件终端的等位环内部，器件正向导通时漂移区的电导调制效应不受影响，因此正向导通压降不会改变。所述制备方法只要增加一张掩膜版进行碳、氧的离子注入，不会增加过多的附加成本。