本发明涉及一种晶圆级高密度布线制备方法，属于半导体封装技术领域。其包括以下工艺过程：提供硅晶圆（100），所述硅晶圆（100）的表面选择性地形成电镀种子层Ⅰ（210）,并在所述电镀种子层Ⅰ（210）的表面沉积布线A（220），相邻的所述布线A（220）之间设置间距；于所述布线A（220）的顶部和侧壁以及电镀种子层Ⅰ（210）的侧壁形成介电层（230）；相邻的所述布线A（220）之间的硅晶圆（100）的表面形成电镀种子层Ⅱ（310），并于所述电镀种子层Ⅱ（310）的表面沉积布线B（330）。本发明可以降低工艺难度，避免了传统再布线工艺中的桥连问题，同时本发明先制备布线A、再制备布线B，可以形成具有高度差的布线格局，方便实际使用。