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电子束诱导沉积制备碳纳米管的方法
编号:S000021432 刷新日期: 有效日期至:2020-11-17 浏览:2276 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
电子束诱导沉积制备碳纳米管的方法涉及纳米微复合材料领域。本发明抽出单根半导体纳米线,并通过电子束诱导沉积技术使其表面包裹一层非晶碳层,形成纳米线和非晶碳层的“核壳结构”,再对其加载偏压,电流产生的焦耳热使纳米线熔化并将其驱赶出纳米管,同时焦耳热也使得非晶碳转化成层状多晶,最终得到单根碳纳米管。本发明可以精确控制碳纳米管的长度、直径和壁厚等参数,并可以即时对其形成过程进行原位研究,为碳纳米管的生长机理研究提供充分的数据。由于没有掺杂和催化剂,本发明所获得的碳纳米管纯度极高。本发明也可以推广到制备碳纳米管阵列。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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