本发明提供一种金属纳米颗粒辅助刻蚀法制备介孔硅纳米线的方法，属于半导体材料技术领域。将硅片预处理，再进行表面氧化处理，然后置于腐蚀液中静置，随后将其置于硝酸溶液中浸泡，再用大量去离子水冲洗后以氮气吹干，即得到介孔硅纳米线。与一般致密硅纳米相比，本发明制备得到的介孔硅纳米线中含有大量直径分布在2～50nm的小孔，且介孔硅纳米线保持一定的单晶特性；这使其具有更巨大的比表面积且表现一些独特的光学、电学特性，这使得介孔硅纳米线在纳米传感器、光学器件、纳米催化等领域中展现出巨大的运用前景。