一种方法，包括提供多个相互平行的半导体鳍状件，并包括两个边缘鳍状件和位于两个边缘鳍状件之间的中心鳍状件。两个边缘鳍状件的每一个的中部被蚀刻，而中心鳍状件不被蚀刻。栅极电介质形成在中心鳍状件的顶面和侧壁上。栅电极形成在栅极电介质的上方。两个边缘鳍状件的端部和中心鳍状件的端部凹进。执行外延，以形成外延区域，其中从由两个边缘鳍状件的端部留下的间隔生长的外延材料与从由中心鳍状件的端部留下的间隔生长的外延材料相结合，以形成外延区域。源极/漏极区域形成在外延区域中。本发明还提供了一种FinFET及其形成方法。