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一种功率MOSFET器件串联电感的测试电路
编号:S000021397 刷新日期: 有效日期至:2020-10-13 浏览:2455 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种功率MOSFET器件串联电感的测试电路,属于半导体器件测试技术领域。所述测试电路包括脉冲发生器、相位显示器、LCR表、电阻和选通开关;脉冲发生器的信号端与栅极电连接;脉冲发生器的接地端通过串联电阻与选通开关的固定端电连接;选通开关的两个选择端分别与源极和漏极电连接;脉冲发生器的接地端接地;LCR表的一端与栅极电连接,另一端与选通开关的固定端电连接;相位显示器电压输入端与栅极电连接,电流输入端与选通开关的固定端电连接。本发明不仅可以为评估器件的性能提供重要参数指标,而且对于优化功率MOSFET器件设计、提高器件的开关特性都具有重大意义。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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