本发明涉及一种台面硅整流器件的切割方法，首先将经过磷硼扩散的硅片进行氧化处理，然后对硅片进行双面光刻，用混酸将硅片腐蚀出PN结台面，清洗后进行玻璃钝化，使用喷砂方法去除硅片表面的氧化层，经过化学镀镍和烧结，在硅片表面形成良好的欧姆接触，再将硅片利用激光切割机进行切割，将硅片背面放在载片台上，对准后启动设备，切割后经过手工裂片，形成单一的晶粒，该制成工艺能有效消除传统的砂轮切割方式导致的玻璃钝化芯片出现的微裂纹缺陷，因此能提高该类半导体器件的性能，特别是提高高反压器件的稳定性、可靠性和耐压强度。