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一种Cu2Se-Pd杂化材料及其制备方法和应用
编号:S000021383 刷新日期: 有效日期至:2020-12-06 浏览:3033 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种Cu2Se-Pd杂化材料的制备方法及制得的材料,铜源为四氯络铜(II)酸四乙基铵,硒源为SeO2溶于松油醇的混合液,采用固液相合成法,在DMPU中反应得到六方相CuSe或立方相Cu2-XSe,将上述产物进一步经过TOP进行提取,得到了单斜相Cu2Se;将其与贵金属Pd复合,制得Cu2Se-Pd杂化材料。本发明方法在常压和较低温度下合成微米级硒化铜-Pd杂化材料,工艺简单,反应时间短;所得杂化材料作为SERS基底用于SERS检测4-Mpy,响应信号强,选择性高,检测限达10-9molL-1。与单独的半导体Cu2Se和金属Pd相比,Cu2Se-Pd杂化材料显示出更优异的SERS性能。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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