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> 技术详情
一种Cu
2
Se-Pd杂化材料及其制备方法和应用
编号:S000021383
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-06
浏览:
3191
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种Cu
2
Se-Pd杂化材料的制备方法及制得的材料,铜源为四氯络铜(II)酸四乙基铵,硒源为SeO
2
溶于松油醇的混合液,采用固液相合成法,在DMPU中反应得到六方相CuSe或立方相Cu
2-X
Se,将上述产物进一步经过TOP进行提取,得到了单斜相Cu
2
Se;将其与贵金属Pd复合,制得Cu
2
Se-Pd杂化材料。本发明方法在常压和较低温度下合成微米级硒化铜-Pd杂化材料,工艺简单,反应时间短;所得杂化材料作为SERS基底用于SERS检测4-Mpy,响应信号强,选择性高,检测限达10
-9
molL
-1
。与单独的半导体Cu
2
Se和金属Pd相比,Cu
2
Se-Pd杂化材料显示出更优异的SERS性能。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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