本发明涉及时延和信号积分线性图像传感器(或TDI传感器)。根据本发明，像素包括覆盖半导体层(12)的一连串数个绝缘栅极G1_i、G2_i、G3_i、G4_i，一个像素的栅极通过栅极的狭窄的未覆盖的间隙彼此分离并与另一线的相邻像素的栅极分离，并且该所述一个像素的栅极包括由第一类型(p)的掺杂表面区域(16)覆盖的第二类型导电性的掺杂区域(14，n型)；表面区域保持在同一参考电势；相邻栅极之间的狭窄间隙的宽度使得：当栅极维持将电荷从一个像素转移到下一个像素所必需的交替的电势时，第二类型的区域的内部电势在狭窄间隙的整个宽度上被更改。